โครงสร้างจุลภาคและความเหนียวของบริเวณที่ได้รับความร้อนแบบหยาบของแผ่นต้านทานการสึกหรอไมโครอัลลอยด์วานาเดียม
ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา ไนโอเบียม วานาเดียม ไทเทเนียม และธาตุโลหะผสมอื่นๆ ได้รับการศึกษาอย่างกว้างขวางเกี่ยวกับโครงสร้างจุลภาคและคุณสมบัติของโซนที่ได้รับผลกระทบจากความร้อนจากการเชื่อม (HAZ) มีมุมมองที่แตกต่างกันเกี่ยวกับผลกระทบของวานาเดียมต่อความเหนียวของ HAZ Li เชื่อว่าการเติมวาเนเดียมที่มีเศษส่วนมวล 0.05% ให้กับเพลตต้านทานการสึกหรอของ C-Mn จะช่วยลดความเหนียวของโซนที่ได้รับผลกระทบจากความร้อนวิกฤติที่อุณหภูมิต่ำ ในขณะที่การวิจัยของ Horii เชื่อว่าการเติมวาเนเดียมในปริมาณเล็กน้อย วาเนเดียมบนพื้นฐานของแผ่นทนการสึกหรอ C-Mn จะช่วยปรับปรุงความเหนียวของ HAZ และวานาเดียมจำนวนมากเท่านั้นที่จะลดความเหนียวของ HAZ
Gleeble-3800 ถูกนำมาใช้เพื่อจำลองกระบวนการหมุนเวียนด้วยความร้อนที่ได้รับจากโซนรับผลกระทบจากความร้อนแบบผลึกหยาบ (CGHAZ) โครงสร้างจุลภาคและความเหนียวของแผ่นต้านทานการสึกหรอ V, แผ่นต้านทานการสึกหรอ VN, แผ่นต้านทานการสึกหรอ V-Ti และแผ่นต้านทานการสึกหรอ VN-Ti CGHAZ ภายใต้เงื่อนไขอินพุตความร้อน 100 kJ/cm ถูกนำมาเปรียบเทียบ และการตกตะกอน วิเคราะห์เฟสแล้ว
ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าความแข็งแกร่งของ CGHAZ คือ แผ่นต้านทานการสึกหรอ VN-Ti, แผ่นต้านทานการสึกหรอ V-Ti, แผ่นต้านทานการสึกหรอ VN และแผ่นต้านทานการสึกหรอ V จากสูงไปต่ำ ขนาดเกรนออสเทนไนต์ดั้งเดิมสามารถถูกทำให้บริสุทธิ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพโดยการเติมไททาเนียมบนพื้นฐานขององค์ประกอบของแผ่นต้านทานการสึกหรอ V ในด้านหนึ่ง การเติมไนโตรเจนบนพื้นฐานขององค์ประกอบของแผ่นต้านทานการสึกหรอของ V-Ti จะช่วยส่งเสริมการตกตะกอนของ (Ti, V) (C, N) /TiN และยับยั้งการแข็งตัวของเมล็ดออสเทนไนต์ดั้งเดิม ในทางกลับกัน จะส่งเสริมการตกตะกอนของ V (C, N) ซึ่งส่งเสริมการก่อตัวของเฟอร์ไรต์เหลี่ยม การเพิ่มจำนวนเฟอร์ไรต์เหลี่ยมสามารถลดความเสียหายของไนโตรเจนอิสระต่อความเหนียวได้ และปรับปรุงความเหนียวของ CGHAZ ได้อย่างมีประสิทธิภาพ
